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海量突破！三星 2GB DDR2内存明年量产
2004-09-21 15:49:13 　　 资料来源：Hardspell
    三星宣布通过使用80纳米工艺技术，其已经制造出业内第一款容量高达2GB的DDR2 SDRAM内存。这种高密度的DDR2解决方案将增强服务器和工作站的性能，而且使得实时视频会议、远程医疗服务、双向通信和3D图形等内存增强的应用得以快速展开。

    这项新的DRAM技术取得了很多突破性进展，包括3D晶体管技术，凹槽阵列晶体管（RCAT），和新概念架构处理。出现于2003年的RCAT是三星公司一项独特的技术，它用于通过使用一种3D结构设计，来减少晶体管所占的体积。
 
    三星公司计划于2005年中旬大规模使用80纳米工艺生产这种2GB DDR2 SDRAM内存。
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